ОБЩАЯ ФИЗИКА
|
Бураченко А. Г., Белоплотов Д. В., Сорокин Д. А., Тарасенко В. Ф., Бакшт Е. Х., Ломаев М. И., Липатов Е. И.
Вклад катодолюминесценции и фотолюминесценции в сигналы с алмазных детекторов пучков убегающих электронов
| | 5 |
Расмагин С. И., Крыштоб В. И.
Методика измерения времен релаксации фотопроводимости полупроводника в микроволновом поле при импульсном лазерном излучении
| | 11 |
Логинов В. М.
Стохастический нагрев нерелятивистских заряженных частиц в электрических полях со случайными переключениями
| | 16 |
Крикунова А. И., Сон Э. Е., Клинков К. В., Eigenbrod C.
Влияние гравитационных сил на процессы горения
| | 21 |
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
|
Бакеев И. Ю., Зенин А. А., Климов А. С., Окс Е. М.
О возможности прецизионной электронно-лучевой обработки протяженных диэлектрических изделий плазменным источником электронов в форвакууме
| | 26 |
Гришин Ю. М., Мяо Лун
О вихревом режиме аргон-водородного плазменного потока в канале высокочастотного индукционного плазмотрона
| | 31 |
Балмашнов А. А., Калашников А. В., Калашников В. В., Степина С. П., Умнов А. М.
Самовозбуждение низкочастотных колебаний в плазменном кольце, формируемом ЭЦР-разрядом в узком коаксиальном резонаторе
| | 37 |
Неклюдова П. А., Кралькина Е. А., Вавилин К. В., Задириев И. И., Никонов А. М
Влияние внешнего магнитного поля на радиальное распределение ионного тока насыщения зонда в высокочастотном индук-тивном источнике плазмы
| | 42 |
Андреев В. В., Пичугин Ю. П.
Влияние полярности напряжения на синтез озона в диэлектрическом барьерном разряде
| | 47 |
Баловнев А. В., Башутин О. А., Григорьева И. Г., Манохин И. Л., Салахутдинов Г. Х.
Характеристики рентгеновского излучения микропинчевого разряда в зависимости от полярности электродов разрядной системы
| | 52 |
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
|
Яковлева Н. И., Болтарь К. О., Никонов А. В.
Температурное разрешение тепловизионных систем с использованием фотоприемных устройств на основе CdHgTe
| | 58 |
Галочкин А. В., Ащеулов А. А., Захарук З. И., Дремлюженко С. Г., Романюк И. С.
Фотодиодные структуры на основе CdTe и CdMnTe
| | 65 |
МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
|
Муслимов А. Э., Рабаданов М. Х., Исмаилов А. М.
Влияние структурного совершенства пленок оксида цинка на их электрические и оптические свойства
| | 72 |
Дудин А. Л., Миронова М. С., Яковлев Г. Е., Фролов Д. С., Коган И. В., Шуков И. В., Зубков В. И., Глинский Г. Ф.
Исследование PHEMT-структур с квантовыми ямами AlGaAs/InGaAs/GaAs, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией
| | 78 |
Кармоков А. М., Дышекова А. Х., Молоканова О. О.
Измерение краевого угла смачивания свинцом поверхности оксида железа и реакторной стали ЭИ-852
| | 85 |
Трофимов А. А.
Режимы шлифования и полирования пластин из сапфира и карбида кремния, содержащих СВЧ монолитные интегральные схемы
| | 89 |
Козлов Г. В., Долбин И. В.
Перколяционные модели для описания степени усиления модуля упругости высоконаполненных нанокомпозитов полиуретан/графен
| | 96 |
Шабрин А. Д., Гончаров А. Е., Пашкеев Д. А., Ляликов А. В., Егоров А. В.
Анализ разориентации монокристаллических блоков объемного кристалла InSb
| | 101 |
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
|
Архипов В. П., Желаев И. А., Ивашкин А. Б., Камруков А. С., Семенов К. А.
Мультиспектральные фотоэлектрические преобразователи для измерения излучательных характеристик импульсных источников широкополосного оптического излучения
| | 107 |
Полесский А. В., Юдовская А. Д.
Обоснование требований к элементам установки измерения пятна рассеяния объектива на основе матричного фотоприемного устройства
| | 115 |